Diode/Bridge Rectifier
Número de pieza
Tokmas (Tokmas)
Fabricantes
1200V40A Silicon carbideVF typical value 1.55V
Descripción
88824 PCS
En stock
Número de pieza
YFW (You Feng Wei)
Fabricantes
I(AV) 3 VRRM(V) 200 IFsM(A) 80 VFM(V) 0.95 VFMI(AV)(A) 3 IRM@VRRM(μA) 0.3
Descripción
92506 PCS
En stock
Número de pieza
FOSAN (Fuxin)
Fabricantes
Working current Io: 200MA Reverse withstand voltage VR: 100V
Descripción
99104 PCS
En stock
Número de pieza
Slkor (Sakor Micro)
Fabricantes
Ptot(mW) 150 VR(V) 80 IO(mA) 100 VF(V) 1.2 IF(mA) 100 IR(uA) 0.1 VR(V) 80 Trr(ns) 4
Descripción
82304 PCS
En stock
Número de pieza
SY (Shunye)
Fabricantes
Schottky diode Silicon carbide DC reverse withstand voltage (Vr): 60V Average rectified current (Io): 2A Forward voltage drop (Vf): 700mV@2A 60V,2A,VF=0.52V@2A
Descripción
99549 PCS
En stock
Número de pieza
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Fabricantes
DC Reverse Withstand Voltage (Vr) 1000 Average Rectified Current (Io) 20 Forward Surge Current (Ifsm) 260 Reverse Current (Ir) 10
Descripción
88782 PCS
En stock
Número de pieza
YANGJIE (Yang Jie)
Fabricantes
HDL6S-F1-0000
Descripción
58046 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Schottky diode Silicon carbide diode configuration: stand-alone DC reverse withstand voltage (Vr): 40V Average rectified current (Io): 350mA Forward voltage drop (Vf): 600mV@200mA Reverse current (Ir): 5uA@30V
Descripción
92156 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Schottky diode Silicon carbide diode configuration: stand-alone DC reverse withstand voltage (Vr): 40V Average rectified current (Io): 350mA Forward voltage drop (Vf): 600mV@200mA Reverse current (Ir): 5uA@30V
Descripción
65544 PCS
En stock
