Diode/Bridge Rectifier
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
Common cathode, 70V, 700mA
Descripción
56983 PCS
En stock
Número de pieza
HVDIODE (Anshan Shuli)
Fabricantes
Descripción
55192 PCS
En stock
Número de pieza
HUXN (Huixin)
Fabricantes
Schottky diode Silicon carbide DC reverse withstand voltage (Vr): 40V Average rectified current (Io): 500mA Forward voltage drop (Vf): 550mV@500mA
Descripción
78785 PCS
En stock
Número de pieza
HUXN (Huixin)
Fabricantes
Schottky diode Silicon carbide DC reverse withstand voltage (Vr): 40V Average rectified current (Io): 500mA Forward voltage drop (Vf): 550mV@500mA
Descripción
97537 PCS
En stock
Número de pieza
TWGMC (Taiwan Dijia)
Fabricantes
Diode configuration: stand-alone DC reverse withstand voltage (Vr): 600V Average rectified current (Io): 2A Forward voltage drop (Vf): 1.3V@2A Reverse recovery time (trr): 250ns
Descripción
96256 PCS
En stock
Número de pieza
PANJIT (Qiangmao)
Fabricantes
Descripción
89478 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
Descripción
86602 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
96624 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
89120 PCS
En stock
Número de pieza
MSKSEMI (Mesenco)
Fabricantes
DC reverse withstand voltage (Vr): 30V Average rectified current (Io): 200mA Forward voltage drop (Vf): 1V@100mA
Descripción
76965 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
66268 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
76415 PCS
En stock
