Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
IC(A) -0.5 VCEO(V) -25 hFE(β) 120-400 fT(MHZ) 150 VCBO(V) -40 VCE(sat)(W) -0.6 Type PNP
Descripción
64863 PCS
En stock
Número de pieza
HUAYI (Hua Yi Wei)
Fabricantes
N-channel, 60V, 130A, 5.4mΩ@10V
Descripción
67862 PCS
En stock
Número de pieza
ALLPOWER
Fabricantes
MOSFET Type N+N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 20 Threshold Voltage VGS ±12 Vth(V) 0.45-1 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 16/20 Continuous Drain Current ID (A) 7
Descripción
97891 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 150V, 85A, 15mΩ@10V
Descripción
83039 PCS
En stock
Número de pieza
TWGMC (Taiwan Dijia)
Fabricantes
Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 110A Power (Pd): 83W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.9mΩ@10V,20A
Descripción
77569 PCS
En stock
Número de pieza
Ascend (Ansend)
Fabricantes
N-type MOS tube@@VDS20V,ID7ARDS(on),Typ@VGS=4.5V16mR
Descripción
54091 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This N-channel JFET device is suitable for high frequency amplifiers and oscillators.
Descripción
56732 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This N-channel JFET device is suitable for high frequency amplifiers and oscillators.
Descripción
62738 PCS
En stock
Número de pieza
MASPOWER
Fabricantes
Ultra high voltage MOS tube
Descripción
62747 PCS
En stock
Número de pieza
MCC (Meiweike)
Fabricantes
N-channel, 20V, 3A, 55mΩ@4.5V
Descripción
88996 PCS
En stock
Número de pieza
SPTECH (Shenzhen Quality Super)
Fabricantes
Descripción
71893 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
84682 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This high voltage PNP bipolar transistor is suitable for general switching applications.
Descripción
94694 PCS
En stock