Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
P-channel, -20V, -5A, 35mΩ@-10V
Descripción
51435 PCS
En stock
Número de pieza
XINGUAN (core crown)
Fabricantes
Gallium Nitride GaN 650V Power Transistor(FET)
Descripción
99692 PCS
En stock
Número de pieza
XINGUAN (core crown)
Fabricantes
Gallium Nitride GaN 650V Power Transistor(FET)
Descripción
85857 PCS
En stock
Número de pieza
VISHAY (Vishay)
Fabricantes
N-channel, 60V, 120A, 0.002Ω@10V
Descripción
85046 PCS
En stock
Número de pieza
MSKSEMI (Mesenco)
Fabricantes
MOS tube type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 55V Continuous drain current (Id): 0.3A Power (Pd): 0.35W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2mΩ@10V ,0.2A threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V-1.6V@250uA
Descripción
63539 PCS
En stock
