Triode/MOS tube/transistor/module
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
N-channel, 600V, 13A, 258mΩ@10V
Descripción
N-channel, 1000V, 2.0?@10V, 4.0A
Descripción
HUAYI (Hua Yi Wei)
Fabricantes
PNP, Vceo=-50V, Ic=-100mA
Descripción
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
NPN, 120V, 500mA
Descripción
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
N-channel, 100V, 4.3A, 100mΩ@10V
Descripción
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Slkor (Sakor Micro)
Fabricantes
Type N VDSS(V) 30 ID@TC=58?C(A) 5.6 PD@TC=58?C(W) 1.2 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25 ?C VGS=4.38V 40
Descripción
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
N-channel, 30V, 100A, 2mΩ@10V
Descripción
SINO-IC (Coslight Core)
Fabricantes
HUASHUO (Huashuo)
Fabricantes