Triode/MOS tube/transistor/module
NPN, Vceo=12V, IC=500mA, PD=0.1W
Descripción
MATSUKI (pine wood)
Fabricantes
N-channel, 60V, 16A, 86mΩ@4.5V
Descripción
VISHAY (Vishay)
Fabricantes
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
LONTEN (Longteng Semiconductor)
Fabricantes
LRC (Leshan Radio)
Fabricantes
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Potens (Bosheng Semiconductor)
Fabricantes
Infineon (Infineon)
Fabricantes
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
PNP, Vceo=-30V, Ic=-3A, hfe=160~320
Descripción
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 80V, 90A, 5.3mΩ@10V
Descripción
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Power MOSFET, ~60 V, ~20 A, 52 mΩ
Descripción
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Slkor (Sakor Micro)
Fabricantes
Type N VDSS(V) 20 ID@TC=34?C(A) 2 PD@TC=34?C(W) 0.7 VGS(V) ±10 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25 ?C VGS=4.14V 68
Descripción
Gem-micro (crystal group)
Fabricantes
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
FOSAN (Fuxin)
Fabricantes
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 60V, 50A, 9.3mΩ@10V
Descripción