Comprar onsemi (Ansemi) 1N5817G 20V 1A 750mV@3A 20V, 1.0A, Schottky diode

onsemi (Ansemi)

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1N5817G

20V 1A 750mV@3A 20V, 1.0A, Schottky diode

Número de pieza

1N5817G

Categoría

diode > Schottky diode

Fabricante/Marca

onsemi (Ansemi)

Encapsulación

DO-41

Embalaje

bagged

Número de paquetes

1000

Descripción

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs chromium barrier metal, oxide passivation, and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

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