onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
1N5817RLG
20V 1A 450mV@1A 20V, 1.0A, Schottky diode
Número de pieza
1N5817RLG
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
DO-41
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs chromium barrier metal, oxide passivation, and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 62422 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave de1N5817RLG
1N5817RLG Componentes electrónicos
1N5817RLG Ventas
1N5817RLG Proveedor
1N5817RLG Distribuidor
1N5817RLG Tabla de datos
1N5817RLG Fotos
1N5817RLG Precio
1N5817RLG Oferta
1N5817RLG El precio más bajo
1N5817RLG Buscar
1N5817RLG Adquisitivo
1N5817RLG Chip