Comprar onsemi (Ansemi) 1N5819RLG 40V 1A 900mV@3A Schottky diode Barrier rectifier, 1.0 A, 40 V

onsemi (Ansemi)

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1N5819RLG

40V 1A 900mV@3A Schottky diode Barrier rectifier, 1.0 A, 40 V

Número de pieza

1N5819RLG

Categoría

diode > Schottky diode

Fabricante/Marca

onsemi (Ansemi)

Encapsulación

DO-41

Embalaje

taping

Número de paquetes

5000

Descripción

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs chromium barrier metal, oxide passivation, and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

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