AGM-Semi (core control source)
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AGM408MN N+N channel 40V 11A 8.5mΩ

AGM408MN

N+N channel 40V 11A 8.5mΩ
Número de pieza
AGM408MN
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOP-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 11A Power (Pd): 2.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 8.5mΩ@10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 13nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.87nF@20V, Vds=40v Id=11A Rds=8.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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