AGM-Semi (core control source)
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AGM40P65AP
AGM40P65AP
Número de pieza
AGM40P65AP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN3x3
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 12A Power (Pd): 18W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,6A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.65V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 14nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.6nF@20V, Vds=40V Id=12A Rds=65mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3;
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