AGM-Semi (core control source)
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AGM420MD N+P channel 40V 20A/-18A 18mΩ/26mΩ

AGM420MD

N+P channel 40V 20A/-18A 18mΩ/26mΩ
Número de pieza
AGM420MD
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252-4
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: One N-Channel One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 20A/-18A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,25A; 26mΩ@-10V,-15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA;-1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 20.5nC@10V ;27nC@ -10V input capacitance (Ciss@Vds): 0.66nF@20V; 1.112nF@-30V Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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