AGM-Semi (core control source)
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AGM435E
N-channel 40V 5A 35mΩ
Número de pieza
AGM435E
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOT-23-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 5A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 5.2nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.48nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@( Tj)
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