HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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DMN26D0UFB4-7-HXY
N-channel 20V 0.7A
Número de pieza
DMN26D0UFB4-7-HXY
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
DFN1006-3L
Embalaje
taping
Número de paquetes
10000
Descripción
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 0.7A, RDON on-resistance 350mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.0V
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