VBsemi (Wei Bi)
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FDC6318P-VB
FDC6318P-VB
Número de pieza
FDC6318P-VB
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulación
SOT23-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
P-channel, -20V, -4A, RDS(ON), 75mΩ@4.5V, 100mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -1.2~-2.2Vth(V); SOT23-6
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Palabras clave deFDC6318P-VB
FDC6318P-VB Componentes electrónicos
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