onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDC638P
P-channel 20V 4.5A P-channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V specified, -20V, -4.5A, 48mΩ
Número de pieza
FDC638P
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TSOT-23-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This P-channel 2.5V specified MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process, which is specially adapted to minimize on-resistance while maintaining low gate charge for excellent switching performance. These devices are ideal for battery power applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 90639 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
P-Channel 20V 5.5A P-Channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -5.5A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 6A P-channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V specified, -12V, -6A, 26mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 2.7A Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
onsemi (Ansemi)
Palabras clave deFDC638P
FDC638P Componentes electrónicos
FDC638P Ventas
FDC638P Proveedor
FDC638P Distribuidor
FDC638P Tabla de datos
FDC638P Fotos
FDC638P Precio
FDC638P Oferta
FDC638P El precio más bajo
FDC638P Buscar
FDC638P Adquisitivo
FDC638P Chip