onsemi (Ansemi)
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FDC653N N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 30V, 5A, 35mΩ

FDC653N

N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 30V, 5A, 35mΩ
Número de pieza
FDC653N
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SSOT-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This N-channel enhancement mode field effect power transistor is produced using a high cell density DMOS proprietary process. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. These devices are ideal for low-voltage applications such as notebook computers, cell phones, PCMICA cards, and other battery-powered circuits, where fast switching and low in-line power losses are required in a very small surface-mount encapsulation.
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