onsemi (Ansemi)
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FDMC86160ET100 N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 100 V, 43A, 14mΩ

FDMC86160ET100

N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 100 V, 43A, 14mΩ
Número de pieza
FDMC86160ET100
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
PQFN-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process is optimized for low on-resistance. This device is ideal for applications requiring ultra-low rDS(on) in a small space, such as high-performance VRM, POL, and Oring functions.
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