onsemi (Ansemi)
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FDMS10C4D2N
N-Channel 100V 17A N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 124A, 4.2mΩ
Número de pieza
FDMS10C4D2N
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
PQFN-8(5x6)
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This N-channel MV MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. The process is optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance using the industry's best soft body diode.
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Palabras clave deFDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N Componentes electrónicos
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