onsemi (Ansemi)
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FDMS4D0N12C
N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 120V, 118A, 4.0mΩ
Número de pieza
FDMS4D0N12C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
PDFN-8(5.2x6.2)
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This N-channel MV MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance with the industry's best soft body diode.
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Palabras clave deFDMS4D0N12C
FDMS4D0N12C Componentes electrónicos
FDMS4D0N12C Ventas
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