Comprar onsemi (Ansemi) FDN337N N-Channel 30V 2.2A N-Channel, Logic Level Enhancement Field Effect Transistor, 30V, 2.2A, 65mΩ

onsemi (Ansemi)

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FDN337N

N-Channel 30V 2.2A N-Channel, Logic Level Enhancement Field Effect Transistor, 30V, 2.2A, 65mΩ

Número de pieza

FDN337N

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

onsemi (Ansemi)

Encapsulación

SOT-23-3

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

SuperSOT-3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. These devices are ideal for low-voltage applications such as notebook computers, cell phones, PCMCIA cards, and other battery-powered circuits, where fast switching and low in-line power losses are required in very small surface-mount encapsulations.

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