onsemi (Ansemi)
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FDS86267P P-Channel 150V 2.2A P-Channel, Shielded Gate PowerTrench MOSFET, -150V, -2.2A, 255mΩ

FDS86267P

P-Channel 150V 2.2A P-Channel, Shielded Gate PowerTrench MOSFET, -150V, -2.2A, 255mΩ
Número de pieza
FDS86267P
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SO-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
This P-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process which incorporates shielded gate technology. This process is optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
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