onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FOD817B3SD DC input Isolation voltage (rms): 5000V Phototransistor optocoupler

FOD817B3SD

DC input Isolation voltage (rms): 5000V Phototransistor optocoupler
Número de pieza
FOD817B3SD
Categoría
Optocoupler/LED/Digital Tube/Optoelectronic Device > Optocoupler-Phototransistor Output
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMD-4P
Embalaje
taping
Número de paquetes
1000
Descripción
The FOD814 consists of two Gallium Arsenide infrared emitting diodes in a 4-pin dual-wire encapsulation, connected in anti-parallel, driving a silicon phototransistor output. The FOD817 series includes a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode driving a Silicon Phototransistor within a 4-pin 2-in-line encapsulation.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 65770 PCS
Información del contacto
Palabras clave deFOD817B3SD
FOD817B3SD Componentes electrónicos
FOD817B3SD Ventas
FOD817B3SD Proveedor
FOD817B3SD Distribuidor
FOD817B3SD Tabla de datos
FOD817B3SD Fotos
FOD817B3SD Precio
FOD817B3SD Oferta
FOD817B3SD El precio más bajo
FOD817B3SD Buscar
FOD817B3SD Adquisitivo
FOD817B3SD Chip