VBsemi (Wei Bi)
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IPD096N08N3G-VB
IPD096N08N3G-VB
Número de pieza
IPD096N08N3G-VB
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulación
TO252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
N-channel, 80V, 110A, RDS(ON), 5.5mΩ@10V, 15mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 2.89Vth(V); TO252
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