onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MBR120LSFT1G 20V 1A 650mV@3A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V

MBR120LSFT1G

20V 1A 650mV@3A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V
Número de pieza
MBR120LSFT1G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOD-123FL
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Using the Schottky diode potential barrier principle, a large area metal-silicon power diode is used. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. This encapsulation is also an easy-to-use alternative to the leadless 34 encapsulation style. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 64837 PCS
Información del contacto
Palabras clave deMBR120LSFT1G
MBR120LSFT1G Componentes electrónicos
MBR120LSFT1G Ventas
MBR120LSFT1G Proveedor
MBR120LSFT1G Distribuidor
MBR120LSFT1G Tabla de datos
MBR120LSFT1G Fotos
MBR120LSFT1G Precio
MBR120LSFT1G Oferta
MBR120LSFT1G El precio más bajo
MBR120LSFT1G Buscar
MBR120LSFT1G Adquisitivo
MBR120LSFT1G Chip