Comprar onsemi (Ansemi) MBR140ESFT3G 40V 1A 560mV@1A 40 V, 1.0 A, Schottky diode, low leakage

onsemi (Ansemi)

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MBR140ESFT3G

40V 1A 560mV@1A 40 V, 1.0 A, Schottky diode, low leakage

Número de pieza

MBR140ESFT3G

Categoría

diode > Schottky diode

Fabricante/Marca

onsemi (Ansemi)

Encapsulación

SOD-123FL

Embalaje

taping

Número de paquetes

10000

Descripción

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry features chromium barrier metal, epitaxy with oxide passivation, and metal-covered contacts. This applies to low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes, and polarity protection diodes.

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