onsemi (Ansemi)
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MBR140SFT3G 40V 1A 550mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 40 V

MBR140SFT3G

40V 1A 550mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 40 V
Número de pieza
MBR140SFT3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOD-123F
Embalaje
taping
Número de paquetes
10000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry features chromium barrier metal, epitaxy with oxide passivation, and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
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