onsemi (Ansemi)
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MBR160G
60V 1A 750mV@1A Schottky diode Barrier rectifier, 60 V, 1.0 A
Número de pieza
MBR160G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
DO-204AL
Embalaje
bagged
Número de paquetes
1000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs oxide passivation and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
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