onsemi (Ansemi)
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MBR2H100SFT3G 100V 2A 840mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 100 V

MBR2H100SFT3G

100V 2A 840mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 100 V
Número de pieza
MBR2H100SFT3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOD-123
Embalaje
taping
Número de paquetes
10000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and any other application where performance and size are critical.
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