onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MBR2H200SFT3G 200V 2A 940mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 200 V

MBR2H200SFT3G

200V 2A 940mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 200 V
Número de pieza
MBR2H200SFT3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOD-123FL
Embalaje
taping
Número de paquetes
10000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Ideal for applications employing freewheeling and polarity protected diodes where compact size and weight are critical to the system. Due to its small size, it is suitable for cellular and cordless phones, chargers, notebook computers and printers. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and any other application where performance and size are critical.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 66223 PCS
Información del contacto
Palabras clave deMBR2H200SFT3G
MBR2H200SFT3G Componentes electrónicos
MBR2H200SFT3G Ventas
MBR2H200SFT3G Proveedor
MBR2H200SFT3G Distribuidor
MBR2H200SFT3G Tabla de datos
MBR2H200SFT3G Fotos
MBR2H200SFT3G Precio
MBR2H200SFT3G Oferta
MBR2H200SFT3G El precio más bajo
MBR2H200SFT3G Buscar
MBR2H200SFT3G Adquisitivo
MBR2H200SFT3G Chip