onsemi (Ansemi)
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MBRAF3200T3G
200V 3A 840mV@3A 200V, 3.0A, Schottky diode
Número de pieza
MBRAF3200T3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMA-FL
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
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