onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MBRB8H100T4G
100V 8A 710mV@8A Schottky diode Barrier rectifier, 100 V, 8.0 A
Número de pieza
MBRB8H100T4G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-263
Embalaje
taping
Número de paquetes
800
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 84300 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deMBRB8H100T4G
MBRB8H100T4G Componentes electrónicos
MBRB8H100T4G Ventas
MBRB8H100T4G Proveedor
MBRB8H100T4G Distribuidor
MBRB8H100T4G Tabla de datos
MBRB8H100T4G Fotos
MBRB8H100T4G Precio
MBRB8H100T4G Oferta
MBRB8H100T4G El precio más bajo
MBRB8H100T4G Buscar
MBRB8H100T4G Adquisitivo
MBRB8H100T4G Chip