onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MJD122-1G NPN 100V 8A 8.0 A, 100 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor

MJD122-1G

NPN 100V 8A 8.0 A, 100 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Número de pieza
MJD122-1G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Tube
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
Tube
Número de paquetes
75
Descripción
This Darlington bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. The MJD122 (NPN) and MJD127 (PNP) are complementary devices.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 51650 PCS
Información del contacto
Palabras clave deMJD122-1G
MJD122-1G Componentes electrónicos
MJD122-1G Ventas
MJD122-1G Proveedor
MJD122-1G Distribuidor
MJD122-1G Tabla de datos
MJD122-1G Fotos
MJD122-1G Precio
MJD122-1G Oferta
MJD122-1G El precio más bajo
MJD122-1G Buscar
MJD122-1G Adquisitivo
MJD122-1G Chip