onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MMBT5551LT3G
NPN 160V 600mA High Voltage NPN Bipolar Transistor
Número de pieza
MMBT5551LT3G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
10000
Descripción
This high voltage NPN bipolar transistor is suitable for general switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 53483 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deMMBT5551LT3G
MMBT5551LT3G Componentes electrónicos
MMBT5551LT3G Ventas
MMBT5551LT3G Proveedor
MMBT5551LT3G Distribuidor
MMBT5551LT3G Tabla de datos
MMBT5551LT3G Fotos
MMBT5551LT3G Precio
MMBT5551LT3G Oferta
MMBT5551LT3G El precio más bajo
MMBT5551LT3G Buscar
MMBT5551LT3G Adquisitivo
MMBT5551LT3G Chip