onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MUN2212T1G 1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

MUN2212T1G

1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Número de pieza
MUN2212T1G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SC-59
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This family of digital transistors is intended to replace a device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a monolithic bias network consisting of a single transistor and two resistors. Series base resistors and base-emitter resistors. The BRT eliminates the need for these separate components, which are integrated into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 56640 PCS
Información del contacto
Palabras clave deMUN2212T1G
MUN2212T1G Componentes electrónicos
MUN2212T1G Ventas
MUN2212T1G Proveedor
MUN2212T1G Distribuidor
MUN2212T1G Tabla de datos
MUN2212T1G Fotos
MUN2212T1G Precio
MUN2212T1G Oferta
MUN2212T1G El precio más bajo
MUN2212T1G Buscar
MUN2212T1G Adquisitivo
MUN2212T1G Chip