onsemi (Ansemi)
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NCV1413BDR2G
Darlington Transistor Array, High Voltage, High Current
Número de pieza
NCV1413BDR2G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Transistor Array
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOIC-16
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
The seven NPN Darlington junction transistors in these arrays are ideal for driving lamps, relays or printing hammers in a variety of industrial and consumer applications. Its high breakdown voltage and internal suppression diodes ensure that inductive loads will not be a problem. The peak inrush current of up to 500 mA enables it to drive incandescent lamps. The MC1413, B with 2.7 kΩ series input resistors is suitable for systems using 5.0 V TTL or CMOS logic.
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