onsemi (Ansemi)
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NRVBA1H100T3G
100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V
Número de pieza
NRVBA1H100T3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMA (DO-214AC)
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It employs an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
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Palabras clave deNRVBA1H100T3G
NRVBA1H100T3G Componentes electrónicos
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