onsemi (Ansemi)
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NRVBSS24T3G 40V 2A 500mV@2A 2.0 A, Schottky diode

NRVBSS24T3G

40V 2A 500mV@2A 2.0 A, Schottky diode
Número de pieza
NRVBSS24T3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMB (DO-214AA)
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
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