onsemi (Ansemi)
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NSR02F30MXT5G
30V 200mA 500mV@200mA 200 mA, 30 V, x3DFN 0201 Schottky diode Barrier diode
Número de pieza
NSR02F30MXT5G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
DFN0603-2
Embalaje
taping
Número de paquetes
10000
Descripción
These Schottky diode barrier diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current, providing the best power dissipation performance in the application. They feature a space-saving x3DFN 0201 encapsulation for applications where space is limited.
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En stock 90463 PCS
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Palabras clave deNSR02F30MXT5G
NSR02F30MXT5G Componentes electrónicos
NSR02F30MXT5G Ventas
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