onsemi (Ansemi)
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NSVDTC123JET1G
1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Número de pieza
NSVDTC123JET1G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SC-75-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
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