onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NSVMUN5312DW1T2G 1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)

NSVMUN5312DW1T2G

1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Número de pieza
NSVMUN5312DW1T2G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-363-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a monolithic bias network consisting of a single transistor and two resistors. Series base resistor and base resistor. The BRT eliminates the need for these separate components, which are integrated into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 50940 PCS
Información del contacto
Palabras clave deNSVMUN5312DW1T2G
NSVMUN5312DW1T2G Componentes electrónicos
NSVMUN5312DW1T2G Ventas
NSVMUN5312DW1T2G Proveedor
NSVMUN5312DW1T2G Distribuidor
NSVMUN5312DW1T2G Tabla de datos
NSVMUN5312DW1T2G Fotos
NSVMUN5312DW1T2G Precio
NSVMUN5312DW1T2G Oferta
NSVMUN5312DW1T2G El precio más bajo
NSVMUN5312DW1T2G Buscar
NSVMUN5312DW1T2G Adquisitivo
NSVMUN5312DW1T2G Chip