onsemi (Ansemi)
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NSVMUN5312DW1T3G 1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)

NSVMUN5312DW1T3G

1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Número de pieza
NSVMUN5312DW1T3G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-363
Embalaje
taping
Número de paquetes
10000
Descripción
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a monolithic bias network consisting of a single transistor and two resistors. Series base resistor and base resistor. The BRT eliminates the need for these separate components, which are integrated into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
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