MSKSEMI (Mesenco)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SI2318DS-T1-E3-MS
N-channel 4A 40V
Número de pieza
SI2318DS-T1-E3-MS
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 4A Power (Pd): 1.56W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 36mΩ@10V,3A Threshold Voltage Vgs(th)@Id): 1.0V to 2.5V@250uA
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 87600 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSI2318DS-T1-E3-MS
SI2318DS-T1-E3-MS Componentes electrónicos
SI2318DS-T1-E3-MS Ventas
SI2318DS-T1-E3-MS Proveedor
SI2318DS-T1-E3-MS Distribuidor
SI2318DS-T1-E3-MS Tabla de datos
SI2318DS-T1-E3-MS Fotos
SI2318DS-T1-E3-MS Precio
SI2318DS-T1-E3-MS Oferta
SI2318DS-T1-E3-MS El precio más bajo
SI2318DS-T1-E3-MS Buscar
SI2318DS-T1-E3-MS Adquisitivo
SI2318DS-T1-E3-MS Chip