HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SI2333-HXY
P-channel 18V 6.5A
Número de pieza
SI2333-HXY
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 18V Continuous drain current (Id): 6.5A Power (Pd): 2W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@4.5V, 4.1A
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 50086 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSI2333-HXY
SI2333-HXY Componentes electrónicos
SI2333-HXY Ventas
SI2333-HXY Proveedor
SI2333-HXY Distribuidor
SI2333-HXY Tabla de datos
SI2333-HXY Fotos
SI2333-HXY Precio
SI2333-HXY Oferta
SI2333-HXY El precio más bajo
SI2333-HXY Buscar
SI2333-HXY Adquisitivo
SI2333-HXY Chip