MSKSEMI (Mesenco)
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SI2333DDS-T1-GE3-MS P channel -5.5A -12V

SI2333DDS-T1-GE3-MS

P channel -5.5A -12V
Número de pieza
SI2333DDS-T1-GE3-MS
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): -12V Continuous Drain Current (Id): -5.5A Power (Pd): 1.56W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@-4.5 V,-4A Threshold voltage Vgs(th)@Id): -0.3V to -1V@250uA
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En stock 59843 PCS
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Palabras clave deSI2333DDS-T1-GE3-MS
SI2333DDS-T1-GE3-MS Componentes electrónicos
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