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AON6413_101
MOSFET P-CH 30V 8DFN
Número de pieza
AON6413_101
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-DFN-EP (5x6)
Disipación de energía (máx.)
6.2W (Ta), 48W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
22A (Ta), 32A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.7V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2142pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±25V
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