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NESG7030M04-A
DISCRETE RF DIODE
Número de pieza
NESG7030M04-A
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-343F
Potencia - Máx.
125mW
Paquete de dispositivo del proveedor
M04
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
30mA
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
4.3V
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 5mA, 2V
Frecuencia - Transición
5.8GHz
Figura de ruido (dB tipo @ f)
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Ganar
14dB ~ 21dB
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