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CDBDSC5650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Número de pieza
CDBDSC5650-G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
D-PAK (TO-252)
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
21.5A (DC)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.7V @ 5A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
100µA @ 650V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
650V
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F
424pF @ 0V, 1MHz
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