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DMG3415UFY4Q-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Número de pieza
DMG3415UFY4Q-7
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-XDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
X2-DFN2015-3
Disipación de energía (máx.)
650mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
16V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
282pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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