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DMG3N60SJ3
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Número de pieza
DMG3N60SJ3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3, IPak, Short Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-251
Disipación de energía (máx.)
41W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
354pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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